主要特征
悬浮电压:250V | 电源电压工作范围:10.0-20.0V |
兼容3.3/5/15V输入逻辑 | 驱动电流:+1.0A/-1.5A(typ.) |
死区时间:200ns (typ.) | 集成VCC和VBS欠压保护 |
SOP8 封装 |
典型应用
马达驱动 | 半桥电源 |
全桥电源 |
产品描述
MT2103是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片,专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计,可在高达250V电压下工作。 MT2103采用SOP8封装。 |
主要特征
悬浮电压:250V | 电源电压工作范围:10.0-20.0V |
兼容3.3/5/15V输入逻辑 | 驱动电流:+1.0A/-1.5A(typ.) |
死区时间:200ns (typ.) | 集成VCC和VBS欠压保护 |
SOP8 封装 |
典型应用
马达驱动 | 半桥电源 |
全桥电源 |
产品描述
MT2103是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片,专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计,可在高达250V电压下工作。 MT2103采用SOP8封装。 |