PWM占空比等于0.0%时进入CV模式
无光耦原边控制
原边MOSFET谷底开通以实现低开关损耗
MOSFET 驱动电流能力:
-开通:0.2A
-关断:0.65A
低启动电流:34μA 典型值
可靠的 LED开短路保护
低电源频率纹波
符合 RoHS 且无卤素
紧凑的封装:SO8
PWM占空比等于0.0%时进入CV模式
无光耦原边控制
原边MOSFET谷底开通以实现低开关损耗
MOSFET 驱动电流能力:
-开通:0.2A
-关断:0.65A
低启动电流:34μA 典型值
可靠的 LED开短路保护
低电源频率纹波
符合 RoHS 且无卤素
紧凑的封装:SO8