准谐振 (QR) 模式操作：原边 MOSFET 的谷值导通以实现低开关损耗
输出电流由原边检测监控，以提供可靠的过流保护和短路保护
PWM/PFM 控制可实现更高的平均效率
突发模式控制可实现低空载损耗和效率
低启动电流：典型值为 4μA
内部大电流 MOSFET 驱动器：120mA
OVP/OCP/SCP/OTP 的自动恢复
频率限制 125kHz
紧凑的封装：SOT23-6
准谐振 (QR) 模式操作：原边 MOSFET 的谷值导通以实现低开关损耗
输出电流由原边检测监控，以提供可靠的过流保护和短路保护
PWM/PFM 控制可实现更高的平均效率
突发模式控制可实现低空载损耗和效率
低启动电流：典型值为 4μA
内部大电流 MOSFET 驱动器：120mA
OVP/OCP/SCP/OTP 的自动恢复
频率限制 125kHz
紧凑的封装：SOT23-6