集成600V MOSFET
调光精度高
调光范围从5.0％到100.0％
偏置电压低于2.5％的偏置电源的CV模式
MOSFET的谷底导通以实现低开关损耗
快速启动<500ms
内部大电流MOSFET驱动器：200mA灌电流和650mA灌电流
低启动电流：典型值为34μA
可靠的LED开短路保护
功率因数> 0.90
符合RoHS标准且无卤素
紧凑的封装：SO8
集成600V MOSFET
调光精度高
调光范围从5.0％到100.0％
偏置电压低于2.5％的偏置电源的CV模式
MOSFET的谷底导通以实现低开关损耗
快速启动<500ms
内部大电流MOSFET驱动器：200mA灌电流和650mA灌电流
低启动电流：典型值为34μA
可靠的LED开短路保护
功率因数> 0.90
符合RoHS标准且无卤素
紧凑的封装：SO8