集成600V MOSFET
MOSFET的谷底导通以实现低开关损耗
单级转换的功率因数> 0.90
低启动电流：典型值为15µA
快速启动<500ms
可靠的LED开短路保护
符合RoHS标准且无卤素
紧凑的封装：DIP8