无光耦原边CV控制
主MOSFET的谷底导通以实现低开关损耗
内部大电流MOSFET驱动器：0.1A拉电流和0.5A灌电流
单级转换的功率因数> 0.90
大开关频率限制100kHz
输出电流限制，约为额定电流的1.2倍
符合RoHS标准且无卤素
紧凑的封装：SO8
无光耦原边CV控制
主MOSFET的谷底导通以实现低开关损耗
内部大电流MOSFET驱动器：0.1A拉电流和0.5A灌电流
单级转换的功率因数> 0.90
大开关频率限制100kHz
输出电流限制，约为额定电流的1.2倍
符合RoHS标准且无卤素
紧凑的封装：SO8