PWM占空比等于0.0%时进入CV模式
无光耦原边控制
原边MOSFET谷底开通以实现低开关损耗
MOSFET 驱动电流能力：
-开通：0.2A
-关断：0.65A
低启动电流：34μA 典型值
可靠的 LED开短路保护
单级转换的功率因数 >0.90(模拟调光)
符合 RoHS 且无卤素
紧凑的封装：SO8
PWM占空比等于0.0%时进入CV模式
无光耦原边控制
原边MOSFET谷底开通以实现低开关损耗
MOSFET 驱动电流能力：
-开通：0.2A
-关断：0.65A
低启动电流：34μA 典型值
可靠的 LED开短路保护
单级转换的功率因数 >0.90(模拟调光)
符合 RoHS 且无卤素
紧凑的封装：SO8