无光耦原边控制
原边MOSFET的谷底导通以实现低开关损耗
单级转换的功率因数> 0.90
可靠的LED开短路保护
快速启动<500ms
低启动电流：典型值为19µA
符合RoHS标准且无卤素
紧凑的封装：SO8