内部开关（顶部/底部）的低RDS(ON)：230mΩ/110mΩ
集成电感器以大限度地减少外部元件和 PCB 布局设计
1.8~5.5V 输入电压范围
4μA 超低静态电流
3MHz 的高开关频率大限度地减少了外部组件
内部软启动限制浪涌电流
Dropout 操作
符合 RoHS 标准且无卤素
紧凑型封装：QFN2x1.5-8
内部开关（顶部/底部）的低RDS(ON)：230mΩ/110mΩ
集成电感器以大限度地减少外部元件和 PCB 布局设计
1.8~5.5V 输入电压范围
4μA 超低静态电流
3MHz 的高开关频率大限度地减少了外部组件
内部软启动限制浪涌电流
Dropout 操作
符合 RoHS 标准且无卤素
紧凑型封装：QFN2x1.5-8