政策扶持
为促进我国光刻胶产业的发展，国家02重大专项给予了大力支持。今年5月，02重大专项实施管理办公室组织任务验收专家组、财务验收专家组通过了“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”项目的任务验收和财务验收。
据悉，经过项目组全体成员的努力攻关，完成了EUV光刻胶关键材料的设计、制备和合成工艺研究、配方组成和光刻胶制备、实验室光刻胶性能的初步评价装备的研发，达到了任务书中规定的材料和装备的考核指标。项目共申请发明专利15项（包括国际专利5项），截止到目前，NR9 8000光刻胶，共获得授权专利10项（包括国际专利授权3项）。
PR1-2000A1光刻胶
4，曝光
前烘好的存底放在光刻胶衬底放在光刻机上，经与光刻版对准后，进行曝光，接受光照的光刻胶发生化学变化，形成潜影，
光源与光刻胶相匹配，也就是光源波长在光刻胶的敏感波段；
对准：指光刻板上与衬底的对版标记应准确对准，光刻胶去胶液，这样一套光刻版各版之间的图形才能彼此套准。
曝光时间，由光源强度，光刻胶种类，厚度等决定，
另外，为降低驻波效应影响，可在曝光后需进行烘焙，称为光后烘焙（PEB）
芯片光刻的流程详解（一）
在集成电路的制造过程中，NR9 1500PY光刻胶，有一个重要的环节——光刻，正因为有了它，我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前，1822年法国人Nicephore niepce在各种材料光照实验以后，开始试图复一种刻蚀在油纸上的印痕（图案)，他将油纸放在一块玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时的日晒，透光部分的沥青明显变硬，光刻胶，而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。通过用强酸刻蚀玻璃板，Niepce在1827年制作了一个d’Amboise主教的雕板相的产品。
Niepce的发明100多年后，即第二次大战期间才应用于制作印刷电路板，即在塑料板上制作铜线路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶体管，当时分辨率5um，如今除可见光光刻之外，更出现了X-ray和荷电粒子刻划等更高分辨率方法。
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