氧化锌（ZnO）是一致熔融化合物，熔点为1975℃。由于高温下氧化锌（ZnO）的挥发性很强，传统的提拉法等熔体生长工艺很难获得氧化锌（ZnO）晶体体单晶。作为氧化锌单晶的培养方法，济南氧化锌晶体，已知有利用水热合成法的培养方法。水热合成法是 在高温高压的原料水溶液中培养晶体的方法，氧化锌晶体批发，是利用由温差引起的过饱和度使晶体在晶种 上析出的方法。
氧化锌（ZnO）是一致熔融化合物，熔点为1975℃。由于高温下氧化锌（ZnO）的挥发性很强，传统的提拉法等熔体生长工艺很难获得氧化锌（ZnO）晶体体单晶。目前，生长氧化锌（ZnO）单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体，氧化锌晶体衬底基片，这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的zui有效的方法。
氧化锌（ZnO）晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。ZnO晶体中的化学键既有离子键的成分，又有共价键的成分，两种成分的含量差不多，因而使得ZnO晶体中的化学键没有离子晶体那么强，导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃 迁，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。此外，与其它半导体材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比，氧化锌晶体单晶衬底基片， 其激子结合能(ZnO :60meV)非常大，因此，可期待将其用作高效的发光器件材料。
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