氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃 迁，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。此外，与其它半导体材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比， 其激子结合能(ZnO :60meV)非常大，因此，可期待将其用作高效的发光器件材料。由于水热法生长氧化锌（ZnO）晶体时，需使用高浓度的碱溶液作矿化剂，福建氧化锌晶体，因此有必要使用贵1金属衬套管以保护高压釜反应腔内壁，以免遭受碱液的腐蚀。
氧化锌（ZnO）单晶是具有半导体、发光、压电、电光等多种用途的功能晶体材料。不仅可用于制作紫外光电器件，也是高性1能的移动通讯基片材料和优1秀的闪烁材料；此外，氧化锌（ZnO）与GaN的晶格失配度特别小，是GaN外延生长zui理想的衬底材料。常见的氧化锌（ZnO）属六方晶系，纤锌矿结构，点群为6mm，空间群为P6mc，z=2，氧化锌晶体衬底基片，a=0.32488mm，氧化锌晶体单晶，c=0.51969mm。znO晶体中，Z离子和O离子沿c轴交替堆积，氧化锌晶体批发，(O001)面终结于正电荷Z离子，(0001)面终结于负电荷O离子，因此，氧化锌（ZnO）单晶具有极性。
氧化锌（ZnO）晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能IBⅥA族半导体材料，具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。氧化锌（ZnO）晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。ZnO晶体中的化学键既有离子键的成分，又有共价键的成分，两种成分的含量差不多，因而使得ZnO晶体中的化学键没有离子晶体那么强，导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。
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