程控扩散炉是半导体器件及大规模集成电路制造过程中用于对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺的一种热加工设备。
程控扩散炉技术指标
1.1工作温度：200～1300℃
1.2适用硅片尺寸：4～6英寸
1.3装片数量：正片100～300片/管
1.4炉体恒温区：300～1000mm
1.5恒温区精度：＞800℃/±0.5℃ ，＜800℃/±1℃
1.6单点温度稳定性：600～1300℃/ ±0.5℃/24h
1.7最大可控升温速度：15℃/min
1.8最大降温速度：5℃/min（900～1300℃）
1.9控制模式：仪表控制/触摸屏控制
可选配置：
1.1工艺管数量：1～4管
1.2工作台：有净化/无净化
1.3进出舟模式：手动送片/自动送片（悬臂模式、软着陆模式）
1.4适用工艺：氧化（干氧、湿氧）、扩散（磷扩、硼扩）、合金（氮气、氮氢）、退火等