（2）主要技术参数1）基本参数功率源：5000V 1200A2）栅极-发射极漏电流IGESIGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA集电极电压VCE：0V栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V3）集电极-发射极电压集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压Vge： 0V4）集电极-发射极饱和电压VCESatVCESat：0.2-5V栅极电压Vge： ±15V±2%±0.2V集电极电流ICE： 10-1200A±2%±1A5）集电极-发射极截止电流ICES集电极电压VCE： 100-5000V±3%集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压VGE： 0V6）栅极-发射极阈值电压VGEth： 1-10V±2%±0.1VVce：12V集电极电流ICE： 30mA±3%7）二极管压降测试VF：0-5V±2%±0.01VIF：0-1200A±2%±1AVge： 0V
华科智源IGBT测试仪制造标准华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，封装用IGBT测试仪价格，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。
GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）GB 13869-2008 用电安全导则GB19517-2004 国家电器设备安全技术规范GB 4208-2008 外壳防护等级（IP 代码）（IEC 60529：2001，封装用IGBT测试仪厂家，IDT）GB/T 191-2008 包装储运图示标志GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件GB/T 2423 电工电子产品环境试验GB/T 3797-2005 电气控制设备GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管
1.1设备数量1套*1.2设备功能测试功率半导体器件静态参数*1.3设备组成设备包含硬件模块和软件模块两大部分*1.4硬件模块设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆，封装用IGBT测试仪现货供应，测试夹具、控制电脑等*1.5软件模块设备软件部分应包括：1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能；2. 图形化操作界面；中/英文操作系统3.输出EXCEL、wor测试报告*4.切换大小功率测试模块，广西封装用IGBT测试仪，达到相应测试精度*5.可生成器件的I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格；*6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比；2、设备尺寸2.1设备总体长度≤ 700 mm2.2设备总体宽度≤600mm2.3设备总体高度≤500mm
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