ICP刻蚀机简介
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一．系统概况
该系统主要用于常规尺寸样片（不超过Φ6）的刻蚀，可刻蚀的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、
硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻胶、半导体材料、部分金属等。设备具有选择比高、刻
蚀速率快、重复性好等优点。具体描述如下：
1.系统采用单室方箱式结构，手动上开盖结构；
2.真空室组件及配备零部件全部采用铝材料制造，真空尺寸为400mm×400×197mm，等离子化学气相沉积设备哪家好，
内腔尺寸Ф340mm×160mm；
3.极限真空度：≤6.6x10-4 Pa (经烘烤除气后，采用FF160/600分子泵抽气)；
系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；
系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa，等离子化学气相沉积设备，20分钟可达到（采用分子泵抽气)；
停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa；
4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；
5.样品水冷：由循环水冷水机进行控制；
7.ICP头尺寸：340mm mm，喷淋头与样品之间电极间距50mm；
8. 沉积工作真空：1-20Pa；
9. 气路设有匀气系统，真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置；
10. 射频电源：2台频率 13.56MHz，功率600W，全自动匹配；
11. 6路气体，共计使用6个质量流量控制器控制进气。
气体：氦气/氧气/四氟化碳/六氟化硫
12. 刻蚀速率
SiO2：≥0.5μm/min
Si：≥1μm/min
光刻胶：≥1μm/min
13. 刻蚀不均匀性：
优于±5%（Φ4英寸范围内）
优于±6%（Φ6英寸范围内）
14. 选择比
CF4的选择比为50，
ICP刻蚀机的操作及判断
1. 确认万用表工作正常，量程置于200mV。
2.冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。
3.用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为正值，说明导电类型为P 型，刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为P型。
4.如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批硅片需要重新装片，进行刻蚀。
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ICP刻蚀机装片介绍
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等离子体系统效应的过程转换成材料的蚀刻工艺。在待刻蚀硅片的两边，分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板，叠放整齐，用夹具夹紧，确保待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙。冷热探针法将夹具平稳放入反应室的支架上，等离子化学气相沉积设备厂家，关好反应室的盖子。等离子刻蚀检验原理为冷热探针法，具体方法如下：热探针和N型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。同样道理，P型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。此电势差可以用简单的微伏表测量。热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探针的周围，也可以用小型的电烙铁。
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