KOAN 压控晶振相位噪声的形成因素主要三方面
A.近端相噪主要是晶体 Q 值来决定。
高频晶体有很高的近载波相位噪声（Close-inPhase Noise）， 因为他们有低的 Q 值和更宽的边带；
B 中端相噪主要是晶体外围电路(包括 IC)来决定；
C 远端相噪主要是信号输出(白噪声)来决定。
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KOAN 压控晶体振荡器介绍
用外加电压对晶振的频率进行控制，这就是KOAN压控晶振，压控晶振广泛用于晶振频率的电校准，工业级晶振报价，锁相晶振，模拟和数字温补晶振，工业级晶振厂家，频率调制和频率捷变技术中。
压控频偏，压控线性和频率稳定度是压控晶振的3个关键点，对晶振频率进行压控总是以牺牲晶振的频率稳定度为代价的，若非必要，切不可对晶振的压控频偏提出过分要求。
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KOAN 压控晶振的高低电平，脉冲宽度，占空比概述
电源电压 Vdd /-10%，工业级晶振价格，1：Vdd90%min，0：Vdd10%max，阀值电平 Vdd50%，不定电平 Vdd10%-Vdd90%，高电平噪声容限 Vdd90%-Vdd50%，低电平容限Vdd10%-Vdd50%，脉冲宽度上升沿 Vdd50%-下降沿 50%，占空比：脉冲宽度 t与脉冲周期 T 的比值。
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