产品技术参数
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 23 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 240 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-3PN | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 310 W | |
| 尺寸 | 15.8 x 5 x 18.9mm | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 90 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 200 ns | |
| 宽度 | 5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 18.9mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 4200 pF@ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| 系列 | QFET | |