浅槽隔离(STI)是一种前端工艺，用来在硅片表面的器件之间形成隔离区，STI中的填充氧化层是用平坦化技术磨去比阻挡层高的所有氧化层，从而实现平坦化。
STI平坦化的一个困难是如何避免沟槽中的氧化物减薄太多，或产生凹陷。
凹陷现象会对器件造成很多负面效应，如门电压降低，漏电增加等等。
现有技术中，为了解决STI平坦化中凹陷的缺陷，在STI平坦化工艺中普遍开始使用氧化铈研磨液，其颗粒尺寸非常均匀，具有比较高的研磨速度、高的选择比和自动停止等特殊的研磨特性。
但氧化铈研磨颗粒的吸附性比较大，容易残留在硅片表面，不利于后续对硅片的清洗，增加了工艺的复杂度。
并且，硅片上残留的颗粒也会使硅片的检测产生误差，影响芯片的良率。
所以，有必要开发一种既能减少氧化铈颗粒附着在硅片表面的晶圆的平坦化方法。
