晶体谐振器的主要技术指标介绍
标称频率：振荡器输出的中心频率或频率的
频率准确度：振荡器输出频率在室温(25℃±2℃)下相对于标称频率的偏差。
调整频差：在特定温度范围内振荡器输出频率相对于25℃时测量值的较大允许频率偏差。
负载谐振频率（fL）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为电阻性时（产生谐振）的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。
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VCO采用多种封装形式，LVDS输出压控振荡器，通常采用表面贴装封装或同轴连接封装。通常采用坚固及气密性封装，LVDS输出压控振荡器厂家，或者专门针对恶劣环境和满足高可靠性标准（工业、商业或军事用途）进行封装。因此，电镀和封装材料/技术通常满足军事标准规定，能够达到相关的运行温度范围、湿度、冲击和振动要求。就大多数带模拟电压输入设计的VCO而言，LVDS输出压控振荡器报价，其输出频率与调谐电压之间存在大致线性关系，但这并未考虑输入电压、输入电流、负载和调谐电压对输出功率和频率特性的综合影响。这些影响可以采用推频（VCO频率变化与电源电压的关系）和牵引（VCO频率变化与输出负载的关系）进行说明。
锁相环电路中压控振荡器的SET响应研究
空间辐射环境中的锁相环在SET作用下，将产生频率或相位偏差，甚至导致振荡中止，LVDS输出压控振荡器价格，造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路，也是对SET敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型，采用TCAD混合模拟的方法，针对180nm体硅CMOS工艺下高频锁相环中的压控振荡器，研究了偏置条件、入射粒子的能量以及温度对压控振荡器SET响应的影响，通过分析失效机理，以指导抗辐照压控振荡器的设计。研究结果表明，当器件工作在截止区时，入射粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差小;压控振荡器的输出时钟错误脉冲数随着入射粒子LET的增加而线性增加;随着器件工作温度的升高，轰击粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差也是增大的。
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