一般使用热板或烘箱来控制温度变化。
光刻工艺中的坚膜工序。
检验的目的是区分那些有很低可能性通过终掩膜检验的晶圆；提供工艺性能和工艺控制数据；及分拣出需要重做的晶圆。
在显影检验工艺，工程师有个判断工艺的性能机会。
显影检验步骤的第二个重要性与在检验时作的拒收有关。
PEB之后，硅片冷却至23℃左右，与显影液温度相同，并与显影液发生化学反应。
一般来说，显影过程中被曝光和未曝光部分的光刻胶都会与光刻胶发生反应，对显影的要求不高，可以直接将硅片放入显影液槽中浸泡然后取出。
对于大部分对显影要求较高的生产及实验过程，通常使用的匀胶显影机来自动控制显影过程，如图所示。
亮面曝光显影亮面曝光显影
显影是在正性光刻胶的曝光区和负性光刻胶的非曝光区的光刻胶在显影液中溶解，在光刻胶上形成三维图形的一种光刻技术。
显影过程如图1 [1] 所示，非曝光区的光刻胶由于在曝光时并未发生化学反应，茂港亮面曝光显影，在显影时也就不会存在这样的酸碱中和，因此非曝光区的光刻胶被保留下来。
在显影时曝光区和非曝光区的光刻胶都有不同程度的溶解。
曝光区与非曝光区的光刻胶溶解速度反差越大，显影后得到的图形对比度越高。
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