当硅片经清洗液处理后表面不沾水分子时称为疏水处理，反之表面吸附水膜时为亲水处理。纯净的硅片表面是疏水性的。从能量观点看，疏水性表面属低能表面，怎么亲水处理，这时硅片表面张力r（SG）小于水分子表面张力r（SL）。亲水性表面则属高能表面，河北亲水处理，这时的硅表面张力r（SG）大于水分子表面张力r（SL）。由此可知，硅表面成为亲水性的基本条件为A=r（SG）- r（SL）＞0
超疏水表面材料具有防水、防污、可减少流体的粘滞等优良特性，是目前功能材料研究的热点之一一。超疏水性物质，具有极难被水沾湿的表面，其水在其表面的接触角超过150°，滑动角小于20°。超疏水表面一般可以通过两类技术路线来制备:--类是在低表面能的疏水材料表面上构建微米纳米级粗糙结构;另外一类是用低表面能物质在微米-纳米级粗糙结构上进行修饰处理。从制备方法来说，主要有蒸汽诱导相分离法、模板印刷法、电纺法、溶胶-凝胶法、模板挤压法、激光和等离子体刻蚀法、拉伸法、腐蚀法以及其他方法。
利用氧等离子体表面处理，玻璃表面亲水处理，使PDMS与带有钝化层的硅片在室温常压下可以成功键合。在利用氧等离子体改性处理实现PDMS与其它基片键合的技术中，-般认为，在进行氧等离子体表面改性后，应立即将PDMS基片与盖片贴合，pet 亲水处理，否则PDMS表面将很快恢复疏水性，从而导致键合失效，因此可操作工艺时间较短，一般为1 ~ 10min。而通常在需键合的PDMS基片和硅基片上都会带有相应的微细结构，键合前需用一定的时间进行结构图形的对准，因此，如何使PDMS活性表面的持续时间得以延长，成为保证键合质量的关键。
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