产品简介
BL8601是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片，专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计，可在高达600V 电压下工作。BL8601内置VCC和VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。BL8601输入脚兼容3.3-15.0V输入逻辑， 上下管延时匹配大为50ns，驱动能力为 +0.3A/-0.6A。BL8601采用SOP8封装
优势特点
悬浮电压 600V
电源电压工作范围:10.0-20.0V
兼容3.3/5/15V输入逻辑
驱动电流:+0.3A/-0.6A(typ.)
延时匹配时间: 50ns
集成VCC和VBS欠压保护
SOP8 封装