CVD管式炉
简介：
CVD成长系统是利用气态化合物或化合物的混合物在基体受热面上发生化学反应，从而在基体表面上生成不挥发涂层的一种薄膜材料制备系统，它由真空管式炉，多通道气路系统和真空系统组成。
CVD真空系统可选配分子泵系统或旋片泵系统，真空度可达 10*-5pa，多路气源混合系统可选配浮子流量计或质子流量计，量程范围大，控制精度高； 另有多种功能接受客户要求定制。
用途：适用于 CVD 工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基 片导电率测试、ZnO 纳米结构的可控生长、陶瓷电容 (MLCC) 气氛烧结等实验。
技术参数：
产品名称 | CVD化学气相沉积系统 |
产品型号 | JRN-MCVD1200-60 |
管式加热系统 | |
滑道（可选） | 带滑道可滑动炉膛，实现快速升温或降温功能 |
加热区长度 | 500mm 单温区 |
炉管尺寸 | φ60mmx1400mm外径 x 长度 |
炉管材质 | 高纯石英管 |
工作温度 | ≤ 1100℃ |
温控系统 | 智能化 31段 PID 微电脑可编程自动控制 |
温控精度 | ±1℃ (具有超温和断偶报警功能) |
加热速率 | 建议 0~10℃/min |
加热元件 | 含钼电阻丝 |
额定电压 | 单相 220V 50Hz |
可通气体 | 氮气、氩气等惰性气体 |
测温元件 | 热电偶测温 |
壳体结构 | 双层风冷结构炉壳 |
真空法兰 | 法兰一端带 1/4”卡套接头进气口，60mm 法兰。另一端带控压 阀,气动泄压阀和放气阀。 |
| 多路精密质子流量计： |
真空系统 | 旋片泵，真空度在空炉冷态可达 1pa，（可选分子泵真空机组，真空度可达到6.67x10-5pa） |
气体定量系统 | 整体可以控制压力范围 -20kpa 到 20 kpa (相对压力) |
自动化控制 15”触摸屏 | 触摸屏界面集成控制炉子，真空泵，质量流量计以气体定量系 统。炉子部分需要先设好温度时间曲线。集成控制部分可以控制 温度曲线的启停，真空度，气体流量,泄压阀等。 |