EVK-HADES®
• CISSOID活性元件-55°~225°C(TJ)
• 
200 °C Polyimide PCB
• 符合175°C环境条件
• 高侧和低侧门驱动器
• 1200 VDC总线电压设计
• Gate output current ±4A
• 隔离(初级-中级)：2，500 VAC@50 Hz(1mN) >100 mm@500 VDC
• 共模瞬态免疫：30kV/µs（设计用于50kV/µs）
• 延迟时间(PWM到NGH/NGL)：200 ns类型。
• 栅极电压：
• MOSFET支撑：20V/-5V标称(EVK-TIT0636A)
• JFET(SJEP120R100)支援：-16V/16V(EVK-TIT0636B)
• 上升时间(1NF负载)：10 ns类型。
• 下降时间(1NF负载)：10 ns类型。
• 开关频率：高达150千赫(可能超过)
• 单电源：12V±10%
• 接口电压（数字I/O）：5V
• 欠压锁定(UVLO)
• 用于hs和ls驱动器的独立pwm输入或机载不重叠的单个pwm输入。
• 隔离故障输出