4．耗材4.1 硅片硅片没有特殊要求，单面抛光即可。制备SU8模具时在硅片抛光旋涂光刻胶。4.2 光刻掩膜板光刻掩膜版（又称光罩，英文为Mask Reticle），简称掩膜版，是制备SU8模具光刻工艺所使用的图形母版，由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成微结构掩膜图形，通过曝光过程将微结构图形信息转移到SU8光刻胶涂层上，实现微结构的jing确fu制。光刻掩膜版，一般可分为菲林掩膜版和玻璃掩膜版两种。
菲林掩膜板适用于制备线条宽度较大的结构，通常在20微米以上。这种掩膜板制备简单，适合制备相对宽大和较粗糙的图案。然而，由于其分辨率有限，无法满足制备细致微结构的需求。因此，对于需要制备线条宽度大于20微米的简单结构，菲林掩膜板是一个合适的选择。
玻璃掩膜板适用于制备线条宽度小于20微米的精细结构，以及需要多层对准的情况。玻璃掩膜板的制备工艺更加复杂，但由于其高分辨率，能够实现更细致、更jing确的微结构。特别是在需要制备复杂多层结构且对准精度要求较高的情况下，玻璃掩膜板具有明显优势。
在选择掩膜板类型时，应根据所需制备的图案特性、线条宽度以及对制备精度和复杂度的要求进行权衡。菲林掩膜板适用于相对简单的结构，而玻璃掩膜板则更适合制备更细致和复杂的微结构。综合考虑制备目标和技术要求，选择适当的掩膜板类型将有助于确保制备过程的成功和效率。3. SU8模具制备流程
一、备片
从化学品存放区取出清洁的硅片（确保硅片表面无尘）。
匀胶
1）打开匀胶机，将硅片放置在匀胶机托盘上，打开真空开关，确保硅片固定在托盘上不动；
将SU8光刻胶滴在硅片中间，根据光刻胶的厚度和制备要求设置匀胶机转速和时间。（举例说明：目标胶厚度50um，光刻胶型号：SU8-2075，1段500转8s，2段1800转30s）
4.3 光刻胶SU-8是一种常用的负性光刻胶，通常由环氧树脂和光敏剂组成，它具有许多优点，使其在制备微结构和器件方面成为理想的选择：高分辨率：SU-8光刻胶具有出色的分辨率，可以制备细致的微结构，适合制作小尺寸线条和微细图案。粘附性强：SU-8光刻胶在许多基片表面具有良好的粘附性，可以在不同材料上制备微结构。厚度可调：SU-8光刻胶可以通过多次涂覆和光刻来控制厚度，适用于制备不同厚度的微结构。化学稳定性：SU-8光刻胶具有较高的化学稳定性，可以耐受许多溶剂和化学物质，桌面光刻机，适用于各种应用环境。热稳定性：SU-8光刻胶在高温下具有较好的稳定性，适用于需要高温处理的制备过程。多层光刻：SU-8光刻胶可用于多层光刻制备，能够实现更复杂的微结构和器件。应用广泛：SU-8光刻胶在微流体器件、生物芯片、MEMS、光学器件等多个领域中得到广泛应用。
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