在1991到1995年EDO内存盛行的时候,凭借着制造工艺的飞速发展,EDO内存在成本和容量上都有了很大的突破,单条EDO内存容量从4MB到16MB不等,数据总线依然是32位,所以搭配拥有64位数据总线的奔腾CPU时基本都成对的使用。
SDR SDRAM【同步型动态存储器】
然而随着CPU的升级EDO内存已经不能满足系统的需求了,内存技术也发生了大革命,插座从原来的SIMM升级为DIMM(Dual In-line Memory Module),两边的金手指传输不同的数据,SDR SDRAM内存插座的接口是168Pin,单边针脚数是84,进入到了经典的SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM)时代。
SDRAM其实就是同步DRAM的意思,“同步”是指内存工作需要同步时钟,内部命令的发送与数据的传输都以它为基准。内存频率与CPU外频同步,这大幅提升了数据传输效率,再加上64bit的数据位宽与当时CPU的总线一致,只需要一根内存就能让电脑正常工作了,这降低了采购内存的成本。
DDR
SDRAM从发展到现在已经经历了四代,分别是:代SDR SDRAM,第二代DDR SDRAM,第三代DDR2 SDRAM,第四代DDR3 SDRAM,现在已经发展到DDR5 SDRAM。
DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory(双数据率同步动态随机存储器)的简称,是由VIA等公司为了与RDRAM相抗衡而提出的内存标准,为第二代SDRAM标准。其常见标准有DDR 266、DDR 333和DDR 400。其对于SDRAM,主要它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据,这样不需要提高时钟的频率就能实现双倍的SDRAM速度,例如DDR266内存与PC133 SDRAM内存相比,工作频率同样是133MHz,但在内存带宽上前者比后者高一倍。这种做法相当于把单车道更换为双车道,内存的数据传输性能自然可以翻倍。
DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)开发的第三代SDRAM内存技术标准,1.8v工作电压,240线接口,提供了相较于DDR SDRAM更高的运行效能与更低的电压,同样采用在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即4bit数据读预取能力),其常见的频率规范有DDR2 400\533\667\800\1066\1333等,总线频率553MHz的DDR2内存只需133MHz的工作频率
DDR3 SDRAM相比起DDR2具备更低的工作电压(1.5v),240线接口,支持8bit预读,只需133MHz的工作频率便可实现1066MHz的总线频率。其频率从800MHz起跳,常见频率有DDR3 800\1066\1333\1600\1866\2133等。DDR3是当前流行的内存标准,Intel酷睿i系列(如LGA1156处理器平台)、AMD AM3主板及处理器的平台都是其“支持者”。
DDR4相比DDR3的区别有三点:16bit预取机制(DDR3为8bit),同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍;更可靠的传输规范,数据可靠性进一步提升;工作电压降为1.2V,更节能。