phoenix蓄电池KB12650 12V65AH储能系列
凤凰蓄电池的放电特性
放电时间与放电电流：电池容量通过放电电流及到终止电压的时间的乘积。
温度对容量的影响：电池容量受环境温度及放电时率的影响，低温度可减少容量的损失，反之高温可损害电池寿命。
使用铅钙全金板栅可降低自放电，如闲置6个月不使用，每天的自放电约0.1%（20℃）以下表为充电时间间隔。
循环使用寿命：循环次数受放电深度、作业温度及充电方式的影响。
补充充电
如果长时间不使用车辆或充电系统有故障，当蓄电池负载电压低于10V，空载电压低于12．4V必须补充充电；
采风恒电限流充电方法，多只蓄电池充电必须采用串联连接；
充电一阶段，以蓄电池容量的1/10电流充电，其充电电流为6A。充电至平均每只电池电压达到16A后转为第二阶段充电；
充电二阶段，以蓄电池容量x0．045的电流充电，如6－QW－60蓄电池，充电电流为60x0．045=2．7A。充电至平均每只电池电压达到16V后再继续充3－5个小时；
充电时电解液湿度超过40度时，应采取停止充电，减少电流或物理降温，当湿度达到45度时必须停止充电；
充电间保证良好通风，不许有明火和易燃物；
根据防止动态性闩锁效应来决定电流量10M。 因而，也决定较大栅极源极工作电压VCSM。 只需不得超过该值，在外部电源电路出现了常见故障的情形下，lGBT从饱和状态导通状态变成变大情况，漏极电流量大概维持一定，可以操纵栅极工作电压来维持漏极电流量不增加，可以防止闩锁效应。 在这里状况下，为了防止超温造成机器设备毁坏，请及时关掉lGBT。 比如，在栅极-源极工作电压VCS=10~15V的情形下，漏极电流量在5~10 V的范围之内可以比额定电压高4~10倍，在这样的情况下，反向偏置的VCS也可用作截至。 超过此限定，IGBT将毁坏。
IGBT大的容许漏极源极工作电压VOSM由器件里的PNP晶体三极管的击穿场强确定。 目前有抗压1200V以上器件。 针对商业器件，IGBT高的容许结温一般为150’(3360 )。 输出功率MOSFET的通断压力降随结温的升高明显提升，BT的通断压力降vos(on )从常温到大结温变化不大。 主要原因是IGBT的MOSFET的电流为正温度系数，PNP晶体三极管的电流为负温度系数。 二者的藕合使器件得到优良温度特性。 以现在飞利浦MG25N2S1 25A110V的IG-BT控制模块为例子，说明其实际特性和主要参数，给对此设备一无所知的读者留有定性和定量的印象。 表2.2列举了这一模块较大额定电流。 表2.3表明其各种各样电气设备特性。 在这里，图2.19(b )右如图所示的符号是为了把IGBT的各电级的主要参数，即漏极变更为集电结，源极变更为发射极。