Nand-Flash的设计
系统中所采用的Nand-Flash芯片是Samsung公司的K9F2808U。该器件存储容量为16M×8位，除此之外还有512KX 8位的空闲存储区。该器件采用TSSOP48封装，工作电压为2.7～3.6V。8位I/O端口采用地址、数据和命令复用的方法，这样既可减少引脚数，又可使接口电路简捷。
由于ARM系统没有Nand-Flash控制所需要的CLE、ALE信号，因此需要利用ARM的通用GPIO口。具体的连接电路如图7-3所示。
?命令锁存使能(CLE)，使输入的命令发送到命令寄存器。当变为高电平时，在WE上升沿命令通过I/O口锁存到命令寄存器。
?地址锁存使能(ALE)，控制地址输入到片内的地址寄存器中，地址是在WE的上升沿被锁存的。
?片选使能(CE)，用于器件的选择控制。在读操作、CE变为高电平时，器件返回到 备用状态；然而，当器件在写操作或擦除操作过程中保持忙状态时，CE的变高将被忽略，不会返回到备用状态。
?写使能(WE)，用于控制把命令、地址和数据在它的上升沿写入到I/O端口；而在 读操作时必须保持高电平。
?读使能(RE)，控制把数据放到I/O总线上，在它的下降沿tREA时间后数据有效；同时使内部的列地址自动加1。
?I/O端口，用于命令、地址和数据的输入及读操作时的数据输出。当芯片未选中时， I/O口为高阻态。
?工写保护(WP)，禁止写操作和擦除操作。当它有效时，内部的高压生成器将会复位。
?准备/忙(R/B)，反映当前器件的状态。低电平时，表示写操作或擦除操作以及随机读正进行中；当它变为高电平时，表示这些操作已经完成。它采用了开漏输出结构，在芯片未选中时不会保持高阻态。
3.3 Nor-F1ash/Nand-FIash跳线选择
由于ARM提供了Nand-Flash Boot-loader技术和可选择的多种启动方式，因此硬件设计中同时设计了Nor-Flash和Nand-Flash，通过跳线选择启动方式，
