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该过程使用了对紫外光敏感的化学物质，即遇紫外光则。
通过控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。
在硅晶片涂上光致抗蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解。
这时可以用上份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，这溶解部分接着可用溶剂将其冲走。
这样剩下的部分就与遮光物的形状一样了，而这效果正是我们所要的。
这样就得到我们所需要的化硅层。
掺加杂质，将晶圆中植入离子，生成相应的P、N类半导体。
具体工艺是从硅片上暴露的区域开始，放入化学离子混合液中。
这一工艺将改变搀杂区的导电方式，使每个晶体管可以通、断、或携带数据。
简单的芯片可以只用一层，但复杂的芯片通常有很多层，这时候将该流程不断的重复，不同层可通过开启窗口联接起来。
这一点类似多层PCB板的制作原理。
更为复杂的芯片可能需要多个化硅层，这时候通过重复光刻以及上面流程来实现，形成一个立体的结构。