化合积电采用PVD物理气相沉积工艺制备出高质量的蓝宝石氮化铝，【0001】取向摇摆曲线（XRC）的测量结果<0.05°（180arcsec）,并具备以下优势：
✔通过改善AIN生长步骤提高产量
✔与MOCVD或HVPE生长的AIN相比，高质量、大尺寸、低成本，有利于规模化量产
✔可提供高达200nm厚度或是200nm以上（可根据要求提供其他厚度）
| 产品名称 | 蓝宝石基氮化铝（AIN on Sapphire） |
基底材料(Substrate) | 430-440um Sap(002) |
| AIN外延厚度(Thinkness) | 50~200nm |
| 晶面取向(Orientantion) | c-aixs[0001] |
| 表面粗糙度(nm)(5*5nm) | Rq<1.20nm(200nm) |
| XRC(°)(002) | <0.05° |
| 总厚度变化(TTV) | <7um |
| 翘曲度(Warp) | <30um |
| 弯曲度(BoW) | -10~15um |
| 包装(Packaging) | 单片/多片晶圆盒 |
| 直径(inch) | 2、4......可定制 |