高校、硅材料实验室、微电子专业高温氧化炉

用途：

  主要用于各大高校、硅材料实验室、及微电子专业对半导体6寸及以下硅片的高温扩散、氧化（湿氧）、退火、烧结合金工艺的教学和实验工作。

1.1、工作温度：400-1300℃

1.2、恒温区长度及精度： 300mm  /±0.5℃（可选）

1.3、炉管数：一、二、三、四管（可选）

1.4、适应硅片尺寸： 6寸及向下兼容

1.5、送取片方式：自动或手动（可选）