国内做压力容器分析设计的设计院，国内做特种设备分析设计的设计院

国内做压力容器分析设计的设计院，国内做特种设备分析设计的设计院厂房应满足光刻及测试设备的防微振要求。
6.1.2 硅集成电路芯片厂房的选址应对场地周围的振源进行充分的调查与评估。
6.1.3 厂址选择除既有环境的振源外，尚应计及在未来可能产生的振源对拟建厂房的影响。
6.1.4 振动大的动力设备和运输工具等应远离对振动敏感的净化生产区域，动力厂房与生产厂房不宜贴近布置。
6.1.5 硅集成电路芯片厂房宜在下列阶段进行微振测试和评价：

    1 在建设前，对场地素地进行测试和评价；国内做压力容器分析设计的设计院，国内做特种设备分析设计的设计院交通运输设施对建设场地的微振动水平有重要影响，当场地的微振动超过拟建厂房生产工艺的要求时，依靠结构措施抑制厂房结构的振动响应需付出高昂代价且具有较大技术风险。调查交通设施（如码头、火车、高铁、城铁、邻近的飞机场等）对所选场地的影响、评价场地是否适宜建设微振敏感厂房是必须进行的前期工作。规划中的交通设施或振动较大的厂房（如建造新厂房、道路变化、新增城铁及地铁等）对场地的振动影响由于尚未实施而难于评价，国内做压力容器分析设计的设计院，国内做特种设备分析设计的设计院对集成电路芯片厂的正常运行具有潜在威胁，了解拟建场地周边的远景规划也是重要的前期工作
    2 生产厂房结构体完工后，对于布置光刻及测试设备的区域进行测试；
    3 生产厂房竣工时，对布置光刻及测试设备的区域进行测试。条文说明6.1.1 集成电路芯片厂房的微振控制归根结底是在生产区楼面提供一个满足振动敏感设备安装要求的微振动环境，微振控制要求是由生产工艺及所选设备决定的。国内做压力容器分析设计的设计院，国内做特种设备分析设计的设计院在集成电路芯片生产中，对微振有较高要求的通常为光刻设备以及扫描电子显微镜，其容许振动值的物理量表达通常有振幅（μm）、振动速度（mm/s）以及振动加速度（mm/s2），这三种物理量可以通过公式换算。在国际上通常以通用振动标准曲线VC进行定义，如图3所示。VC曲线是指一组表示在一定频率范围内振动幅值（用速度表征）的曲线，按振动速度从高到低依次为VC-A、VC-B…VC-G。有关VC曲线的定义、场地和楼面微振动的测试、数据采集、处理和报告，国内做压力容器分析设计的设计院，国内做特种设备分析设计的设计院环境科学与技术协会（IEST）的有关标准（表2）。