集成 600V MOSFET
无光耦原边控制
高调光精度
调光范围从 5.5% 到 100.0%
PWM占空比小于2.5%时进入CV模式
MOSFET 的谷底导通以实现低开关损耗
快速启动 <500 毫秒
低启动电流:34μA 典型值
可靠的 LED 开短路保护
功率因数 >0.90
紧凑的封装:SO8
集成 600V MOSFET
无光耦原边控制
高调光精度
调光范围从 5.5% 到 100.0%
PWM占空比小于2.5%时进入CV模式
MOSFET 的谷底导通以实现低开关损耗
快速启动 <500 毫秒
低启动电流:34μA 典型值
可靠的 LED 开短路保护
功率因数 >0.90
紧凑的封装:SO8