谷底导通以实现低开关损耗
轻载时降低频率
内部大电流MOSFET驱动器：75mA的源极和400mA的灌电流
MOSFET过流保护（OCP）
内部THD优化以实现低THD
内部过渡优化
符合RoHS标准且无卤素
紧凑的封装：SOT23-6