脉冲激光沉积系统配置介绍
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脉冲激光沉积系统配置：
生长室，进样室可选水平、垂直两种靶台可选激光加热和辐射加热两种样品台可选，激光加热高的温度1200℃工艺气路可以任意搭配配备高压RHEED，工作气压可达100Pa可预留法兰，用于LEED，K-Cell， E-beam等其它可选项如臭氧发生器，离子源，掩膜系统等。
脉冲激光沉积的原理
脉冲激光沉积原理：在真空环境下利用脉冲激光对靶材表面进行轰击，利用激光产生的局域热量将靶材物质轰击出来，再沉积在不同的衬底上，从而形成薄膜。
脉冲激光沉积技术适合做的薄膜包括各种多元氧化物，PLD450型激光镀膜设备价格，氮化物，硫化物薄膜，金属薄膜，pld300型激光镀膜设备价格，磁性材料等。
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脉冲激光沉积选件介绍
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连续组成扩展(CCS )
常规沉积条件下的组合合成
组合合成是一种基于脉冲激光沉积的、组合材料合成的新型连续组成扩展(CCS) 方法。
PLD-CCS 系统能以连续的方式改变材料，没有必要使用掩模。
可以在每一次循环中，以小于一个单分子层的速率，激光镀膜设备价格，快速连续沉积每一种组份，其结果是基本等同于共沉积法。
该法无需在沉积后进行退火促进内部扩散或结晶，对于生长温度是关键参数的研究或者被沉积的材料或基片不适合高温退火的情况是有用的。
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