ICP刻蚀机的测量与控制
沈阳鹏程真空技术有限责任公司专业生产、销售ICP刻蚀机，以下信息由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供。
由于等离子刻蚀工艺中的过程变量，如刻蚀率、气压、温度、等离子阻抗，等等，不易测量，因此业界常用的测量方法有：
虚拟测量（Virtual Metrology）
等离子刻蚀过程控制示意图
光谱测量
等离子阻抗监控
终端探测
远程耦合传感
控制方法
run-to-run 控制（R2R）
模型预测控制（MPC）
人工神经网络控制
化学气相沉积技术在材料制备中的使用
化学气相沉积技术生产多晶/非晶材料膜：
化学气相沉积法在半导体工业中有着比较广泛的应用。
比如作为缘介质隔离层的多晶硅沉积层。
在当代，进口化学气相沉积，微型电子学元器件中越来越多的使用新型非晶态材料，进口化学气相沉积定做，这种材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等。
此外，也有一些在未来有可能发展成开关以及存储记忆材料，例如氧化铜-氧化铜等都可以使用化学气相沉积法进行生产。
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ICP刻蚀机的操作及判断
1. 确认万用表工作正常，量程置于200mV。
2.冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。
3.用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为正值，说明导电类型为P 型，刻蚀合格。
相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为P型。
4.如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格，进口化学气相沉积供应，则这一批硅片需要重新装片，进行刻蚀。
沈阳鹏程真空技术有限责任公司以诚信为首 ，服务至上为宗旨。
公司生产、销售ICP刻蚀机，公司拥有强大的销售团队和经营理念。
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进口化学气相沉积-沈阳鹏程真空技术-进口化学气相沉积定做由沈阳鹏程真空技术有限责任公司提供。
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