光刻胶的分类
以下是赛米莱德为您一起分享的内容，赛米莱德专业生产光刻胶，欢迎新老客户莅临。
硅片制造中，光刻胶的目的主要有两个：（1）将掩模版图形转移到硅片表面顶层的光刻胶中；（2）在后续工艺中，光刻胶公司，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入阻挡层）。
分类
光刻胶的技术复杂，品种较多。
根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。
光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。
图1是正性胶的显影工艺与负性胶显影工艺对比结果示意图 [2] 。
光刻胶工艺
主要用于半导体图形化工艺，是半导体制造过程中的重要步骤。
光刻工艺利用化学反应原理把事先制备在掩模上的图形转印到晶圆，完成工艺的设备光刻机和光刻胶都是占半导体芯片工厂资产的大头。
在目前比较主流的半导体制造工艺中，一般需要40 步以上独立的光刻步骤，贯穿了半导体制造的整个流程，光刻工艺的先进程度决定了半导体制造工艺的先进程度。
光刻过程中所用到的光刻机是半导体制造中的核心设备。
目前，ASML 的NXE3400B售价在一亿欧元以上，媲美一架F35 战斗机。
按曝光波长，光刻胶可分为紫外（300~450 nm）光刻胶、深紫外（160~280 nm）光刻胶、极紫外（EUV，13.5 nm）光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。
按照应用领域的不同，光刻胶又可以分为印刷电路板（PCB）用光刻胶、液晶显示（LCD）用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。
PCB光刻胶技术壁垒相对其他两类较低，光刻胶供应商，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术先进水平。
光刻胶的相关信息
利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。
基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。
光聚合型采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特点。
光分解型采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后，会发生光分解反应，由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。
光交联型采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，光刻胶厂家，这是一种典型的负性光刻胶。
柯达公司的产品KPR胶即属此类。
如果您想要了解更多光刻胶的知识，欢迎拨打图片上的热线联系我们。
北京光刻胶-赛米莱德公司-光刻胶公司由 北京赛米莱德贸易有限公司提供。
北京光刻胶-赛米莱德公司-光刻胶公司是 北京赛米莱德贸易有限公司（www.semild.com）今年全新升级推出的，以上图片仅供参考，请您拨打本页面或图片上的联系电话，索取联系人：况经理。
