含硅光刻胶
为了避免光刻胶线条的倒塌，线宽越小的光刻工艺，就要求光刻胶的厚度越薄。
在20nm技术节点，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。
但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2] 。
为此，水性光刻胶生产厂家，研发了含Si的光刻胶，水性光刻胶哪里有，这种含Si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料（常被称作Underlayer），其对光是不敏感的。
曝光显影后，水性光刻胶，利用氧等离子体刻蚀，把光刻胶上的图形转移到Underlayer上，在氧等离子体刻蚀条件下，含Si的光刻胶刻蚀速率远小于Underlayer，具有较高的刻蚀选择性 [2] 。
含有Si的光刻胶是使用分子结构中有Si的有机材料合成的，例如硅氧烷，含Si的树脂等
光刻胶概况
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光刻胶又称光致抗蚀剂，是光刻工艺的关键化学品，主要利用光化学反应将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上，被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工，同时在 LED、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用，是微细加工技术的关键性材料。
光刻胶的主要成分为树脂、单体、光引发剂及添加助剂四类。
其中，树脂约占 50%，单体约占35%，光引发剂及添加助剂约占15%。
光刻胶的相关信息
利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。
基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。
光聚合型采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特点。
光分解型采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后，会发生光分解反应，由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。
光交联型采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。
柯达公司的产品KPR胶即属此类。
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