光刻胶底膜处理：清洗：清洁干燥，使硅片与光刻胶良好的接触。
烘干：去除衬底表面的水汽，使其彻底干燥，增粘处理(涂底)： 涂上增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物，HMDS，光刻胶疏水，Sio2 空气中，Si-OH，负性光刻胶公司， 表面有，亲水性，使用HMDS （H2C）6Si2NH 涂覆，熏蒸 与 SI –OH结合形成Si-O-Si(CH2)2，与光刻胶相亲。
正负光刻胶
正负光刻胶
光刻胶分负性胶和正性胶两类。
光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。
正胶的图像与掩模板的图像是一致的，故此叫正胶，利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。
一般来说线宽的用正胶，负性光刻胶厂家，线窄的用负胶! 正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm.，而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度，负性光刻胶哪家好，正性胶则无这方面的影响。
虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率，但是薄负性胶会影响孔。
同种厚度的正负胶，在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹，正胶难以企及。
赛米莱德提供美国Futurrex的光刻胶的供应与技术参数。
政策扶持
为促进我国光刻胶产业的发展，国家02重大专项给予了大力支持。
今年5月，02重大专项实施管理办公室组织任务验收专家组、财务验收专家组通过了“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”项目的任务验收和财务验收。
据悉，经过项目组全体成员的努力攻关，浙江负性光刻胶，完成了EUV光刻胶关键材料的设计、制备和合成工艺研究、配方组成和光刻胶制备、实验室光刻胶性能的初步评价装备的研发，达到了任务书中规定的材料和装备的考核指标。
项目共申请发明专利15项（包括国际专利5项），截止到目前，共获得授权专利10项（包括国际专利授权3项）。
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