1. 物理性质
原子量:114.818;
2. 规格
4N In,纯度99.99%以上,银、铝、砷、镉、铜、铁、镁、镍、铅、硫、硅、锡、铊、锌杂质总含量小于100ppm;
5N In,纯度99.999%以上,银、铝、砷、镉、铜、铁、镁、镍、铅、硫、硅、锡、铊、锌杂质总含量小于10ppm;
6N In,纯度99.9999%以上,镉、铜、铁、镁、铅、硫、硅、锡杂质总含量小于1ppm;
7N In,纯度99.99999%以上,银、镉、铜、铁、镁、镍、铅、锌杂质总含量小于0.1ppm。
3. 物理性状
颗粒、块。
4. 用途:
主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体、高纯合金、超低温冷却、晶体管基极以及锗、硅单晶的掺杂剂、铟封、ITO、核辐射安全监控、电接触元件、焊料等。
5. 包装
涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装或聚乙烯瓶真空封装。