杂质半导体 在本征半导体中，如果掺入微量的杂质(某些特殊元素)，将使掺杂后的半导体(杂质半导体)的导电能力显著改变。根据掺入杂质性质的不同，杂质半导体分为电子型半导体(N型)和空穴型半导体(P型)两大类。
1.N型半导体
若在纯净的硅晶体中掺入微量的五价元素(如磷)，这样，硅原子占有的某些位置会被掺入的微量元素(如磷)原子所取代。而整个晶体结构基本不变。磷原子与硅原子组成共价键结构只需四个价电子，而磷原子的外层有五个价电子，多余的那个价电子不受共价键束缚，只需获得很少的能量就能成为自由电子。由此可见，掺入一个五价元素的原子，数字车载功放，就能提供一个自由电子。必须注意的是，产生自由电子的同时并没有产生空穴，但由于热运动原有的晶体仍会产生少量的电子空穴对。所以，只要在本征半导体中掺入微量的五价元素，就可以得到大量的自由电子，且自由电子数目远比掺杂前的电子空穴对数目要多得多。
这种以自由电子导电为主要导电方式的杂质半导体称为电子型半导体，简称N型半导体。N型半导体中存在着大量的自由电子，这就提高了电子与空穴的复合机会，相同温度下空穴的数目比掺杂前要少。所以，在N型半导体中，电子是多数载流子(简称多子)，空穴是少数载流子(简称少子)。N型半导体主要靠自由电子导电，掺入的杂质浓度越高，自由电子数目越大，导电能力也就越强。
在N型半导体中，一个杂质原子提供一个自由电子，cmmb车载数字电视费用，当杂质原子失去一个电子后，就变为固定在晶格中不能移动的正离子，但它不是载流子。因此，N型半导体就可用正离子和与之数量相等的自由电子去表示。
数字IC密码算法介绍
数字IC密码算法主要分三类：对称算法、非对称算法、杂凑算法。
SM1对称密码算法：一种分组密码算法，分组长度为128位，密钥长度为128比特。
主要产品有：智能IC卡、智能密码钥匙、加密卡、加密机等安全产品。
SM2椭圆曲线公钥密码算法（非对称）：一种椭圆曲线公钥密码算法，其密钥长度为256比特。
SM3杂凑算法：一种密码杂凑算法，车载数字，其输出为256比特。
适用于SM22椭圆曲线公钥密码算法中的数字签名和验证。
SM4对称密码算法：一个分组算法，用于无线局域网产品。
SM7对称密码算法：一种分组算法，分组长度为128比特，密钥长度为128比特。
适用于非IC卡应用，例如门禁卡、参赛证、门票，支付类校园一卡通，公交一卡通，企业一卡通
**SM9非对称算法：**是基于对的标识密码算法，与SM2类似。区别于SM2算法，车载数字电视按装，SM9算法是以用户的标识（例如：、邮箱等）作为公钥，省略了交换数字证书公钥过程。
适用于云存储安全、物联网安全、电子邮件安全、智能终端保护等。
1. 数据准备。
对于 CDN 的 Silicon Ensemble而言后端设计所需的数据主要有是Foundry厂提供的标准单元、宏单元和I/O Pad的库文件，它包括物理库、时序库及网表库，分别以.lef、.tlf和.v的形式给出。前端的芯片设计经过综合后生成的门级网表，具有时序约束和时钟定义的脚本文件和由此产生的.gcf约束文件以及定义电源Pad的DEF（DesignExchange Format）文件。(对synopsys 的Astro 而言，经过综合后生成的门级网表，时序约束文件 SDC是一样的，Pad的定义文件--tdf ， .tf 文件 --technology file， Foundry厂提供的标准单元、宏单元和I/OPad的库文件就与FRAM， CELL view， LM view 形式给出(Milkway 参考库 and DB， LIB file)
2. 布局规划。
主要是标准单元、I/O Pad和宏单元的布局。I/OPad预先给出了位置，而宏单元则根据时序要求进行摆放，标准单元则是给出了一定的区域由工具自动摆放。布局规划后，芯片的大小，Core的面积，Row的形式、电源及地线的Ring和Strip都确定下来了。如果必要在自动放置标准单元和宏单元之后，你可以先做一次PNA(power network analysis）--IR drop and EM .
3. Placement -自动放置标准单元。
布局规划后，宏单元、I/O Pad的位置和放置标准单元的区域都已确定，这些信息SE（SiliconEnsemble）会通过DEF文件传递给(PhysicalCompiler)，PC根据由综合给出的.DB文件获得网表和时序约束信息进行自动放置标准单元，同时进行时序检查和单元放置优化。如果你用的是PC Astro那你可用write_milkway， read_milkway 传递数据。
