不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。
例如，随着微电子行业的迅速发展，硅片尺寸由6”, 8“发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求，而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。
杂质含量 靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。
不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。
例如，半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。
密度 为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的性能，通常要求靶材具有较高的密度。
靶材的密度不仅影响溅射速率，还影响着薄膜的电学和光学性能。
靶材密度越高，薄膜的性能越好。
此外，提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。
密度也是靶材的关键性能指标之一。
晶粒尺寸及晶粒尺寸分布 通常靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。
对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快；而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。
