低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
化学气相沉积(CVD)是反应气体在一定条件下分解并发生化学反应，终生成固态物质沉积在基体表面继而形成薄膜的一种技术。在工艺上与其他薄膜沉积技术相比，具有沉积速度快、膜层质量好等优点，磁控溅射真空镀膜，且已广泛应用于电子、光电子、表面改性等领域。该技术的缺点是沉积工艺温度过高，一般在(900℃～1200℃)之间，被处理的基体在高温下易变形、基体晶粒长大、致使基材性能发生改变，甚至某些相对低熔点的合金基材：如(Al合金)无法涂覆，而PECVD在很大程度上改进了CVD的这些缺点。PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。
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真空镀膜技术一般分为两大类，即物理的气相沉积技术和化学气相沉积技术。物理的气相沉积技术是指在真空条件下，利用各种物理方法，将镀料气化成原子、分子或使其离化为离子，直接沉积到基体表面上的方法。制备硬质反应膜大多以物理的气相沉积方法制得，它利用某种物理过程，如物质的热蒸发，或受到离子轰击时物质表面原子的溅射等现象，实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移过程。物理的气相沉积技术具有膜/基结合力好、薄膜均匀致密、薄膜厚度可控性好、应用的靶材普遍、溅射范围宽、可沉积厚膜、可制取成分稳定的合金膜和重复性好等优点。同时，物理的气相沉积技术由于其工艺处理温度可控制在500℃以下，因此可作为较终的处理工艺用于高速钢和硬质合金类的薄膜刀具上。化学气相沉积技术是把含有构成薄膜元素的单质气体或化合物供给基体，借助气相作用或基体表面上的化学反应，在基体上制出金属或化合物薄膜的方法，主要包括常压化学气相沉积、低压化学气相沉积和兼有CVD和PVD两者特点的等离子化学气相沉积等。
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化学气相沉积(CVD)是薄膜技术领域常用的成熟工艺。该工艺中，固体材料在气相态下，通过化学反应沉积到被加热的基材表面，北京真空镀膜，形成一层薄膜。半导体研究院提供在电线和光纤等基材上沉积碳或氮化硅(SiC)材质的CVD工艺特殊解决方案。CVD镀膜是高温工艺，要求温度在500°C及以上，且能量输入极高。工艺腔室中的真空环境能够降低熔点，并在保障前驱体物质转化为气相态的同时，避免不必要的化学反应。与PVD工艺不同，化学气相沉积允许复杂形状及三维表面的膜层保形。该工艺也能够在硅片表面制备极为精细的结构。
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