氮化镓材料刻蚀加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
刻蚀较简单较常用分类是：干法刻蚀和湿法刻蚀。
刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复i制掩模图形。随着微制造工艺的发展，广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。
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原位芯片目前掌握多种刻蚀工艺，并会根据客户的需求，设计刻蚀效果好且性o价比高的刻蚀解决方案。
双等离子体源刻蚀机加装有两个射频（RF）功率源，材料刻蚀厂商，能够更精i确地控制离子密度与离子能量。位于上部的射频功率源通过电感线圈将能量传递给等离子体从而增加离子密度，但是离子浓度增加的同时离子能量也随之增加。下部加装的偏置射频电源通过电容结构能够降低轰击在硅表面离子的能量而不影响离子浓度，从而能够更好地控制刻蚀速率与选择比。原子层刻蚀（ALE）为下一代刻蚀工艺技术，能够精i确去除材料而不影响其他部分。随着结构尺寸的不断缩小，反应离子刻蚀面临刻蚀速率差异与下层材料损伤等问题。原子层刻蚀（ALE）能够精密控制被去除材料量而不影响其他部分，可以用于定向刻蚀或生成光滑表面，是刻蚀技术研究的热点之一。目前原子层刻蚀在芯片制造领域并没有取代传统的等离子刻蚀工艺，而是被用于原子级目标材料精密去除过程。
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刻蚀也可以分成有图形刻蚀和无图形刻蚀。
在等离子蚀刻工艺中，发生着许多的物理现象。当在腔体中使用电极（DC或RF激发）或微波产生一个强电场，这个电场会加速所有的自由电子并提高他们的内部能量(由于宇宙射线的原因，在任何环境中都会存在一些自由电子)。自由电子与气体中的原子/分子发生撞击，如果在碰撞过程中，电子传递了足够的能量给原子/分子，就会发生电离现象，并且产生正离子和其他自由电子若碰撞传递的能量不足以激发电离现象则无法产生稳定且能发生反应的中性物当足够的能量提供给系统，一个稳定的，气相等离子体包含自由电子，正离子和反应中性物等离子蚀刻工艺中等离子体中的原子、分子离子、反应中性物通过物理和化学方式移除衬底表面的材料。纯物理蚀刻采用强电场来加速正原子离子（通常使用重量较重，惰性的原子）朝向衬底，加速过程将能量传递给了离子，当它们撞击到衬底表面时，内部的能量传递给衬底表面的原子，安徽材料刻蚀，如果足够的能量被传递，衬底表面的原子会被喷射到气体中，较终被真空系统抽走。
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