低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一
在等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺中，由等离子体辅助化学反应过程。在等离子体辅助下，200 到500°C的工艺温度足以实现成品膜层的制备，因此该技术降低了基材的温度负荷。等离子可在接近基片的周围被激发(近程等离子法)。而对于半导体硅片等敏感型基材，辐射和离子轰击可能损坏基材。另一方面，在远程等离子法中，等离子体与基材间设有空间隔断。隔断不仅能够保护基材，也允许激发混合工艺气体的特定成分。然而，为保证化学反应在被的粒子真正抵达基材表面时才开始进行，需精心设计工艺过程。
磁控溅射主要利用辉光放电(glowdischarge)将气(Ar)离子撞击靶材(target)表面，靶材的原子被弹出而堆积在基板表面形成薄膜。溅镀薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜来的好，但是镀膜速度却比蒸镀慢比较多。新型的溅镀设备几乎都使用强力磁铁将电子成螺旋状运动以加速靶材周围的气离子化，造成靶与气离子间的撞击机率增加，共溅射真空镀膜厂家，提高溅镀速率。
PECVD是太阳能电池片中比较重要的工序，也是体现一个企业太阳能电池片效率的一个重要指标，辽宁真空镀膜厂家，PECVD工序一般较忙，每一批电池片都需要监测，且镀膜炉管较多，每一管一般几百片（视设备而定），更改工艺参数后，验证周期较长。镀膜技术是整个光伏行业比较重视的技术，太阳能电池的效率提升可以通过镀膜技术的提升来实现，太阳能电池领域的科学家们也乐此不疲，未来太阳能电池表面技术或许有可能成为太阳能电池理论效率的突破口。
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低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
PECVD集成了真空、化学、物理、机械、电气、高频等各方面的技术，是一个较为复杂的系统。在设备研究方面，主要解决低温稳定性、粉尘污染、气路气密性、高频辉光放电、全自动计算机控制等技术问题;在工艺研究方面，主要解决膜厚均匀性、工艺重复性、光电转换效率等技术问题。在使用本设备制作薄膜时要注意3个方面的问题，使用前的调试、制作薄膜的程序和使用完后的归位工作。当对PECVD通上电时，本机有黄、绿、红三色灯泡指示，然后按下“上电开关”，待两分钟后按炉体“加热”开关即可，记下各温区的升温电流的大小(用钳形表测量)，并记下升温时间、到达设定温度时间。当各温区到达预计温度时，对两个温控仪表进行一次自整定，然后对中间一个仪表再整定。待数分钟后若3个温区仪表显示非常平稳时，认定为PID各个参数合适，若发现某个仪表不稳就再进行一次自整定。
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溅射镀膜就是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面，等离子体增强气相沉积真空镀膜厂家，使被轰击出的粒子沉积在基片上的技术。通常，利用低压惰性气体辉光放电来产生入射离子。阴极靶由镀膜材料制成，基片作为阳极，真空室中通入0.1-10Pa的气或其它惰性气体，在阴极（靶）1-3KV直流负高压或13.56MHz的射频电压作用下产生辉光放电。电离出的离子轰击靶表面，使得靶原子溅出并沉积在基片上，形成薄膜。溅射方法很多，主要有二级溅射、三级或四级溅射、磁控溅射、对靶溅射、射频溅射、偏压溅射、非对称交流射频溅射、离子束溅射以及反应溅射等。
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