微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一
常用的光刻胶主要是两种，正性光刻胶（itive photoresist）被曝光的部分会被显影剂清除，负性光刻胶(negative photoresist)未被曝光的部分会被显影剂清除。
接近式光刻机，光刻版与光刻胶有一个很小的缝隙，因为光刻版与衬底没有接触，缺陷大大减少，优点是避免晶圆片与光刻版直接接触，缺陷少，缺点是分辨率低，存在衍射效应。
光刻胶是一种有机化合物，它被紫外光曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一。
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微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，半导体光刻技术平台，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
光刻技术成为一种精密的微细加工技术。
光刻层间对准，即套刻精度（Overlay），保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。曝光中较重要的两个参数是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距调整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的图形。表现为图形的关键尺寸超出要求的范围。曝光方法：
a、接触式曝光（ContactPrinting）。掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。缺点：光刻胶污染掩膜板；掩膜板的磨损，半导体光刻技术厂商，寿命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，重庆半导体光刻技术，分辨率〉0.5μm。
b、接近式曝光（ProximityPrinting）。
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光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。
光刻涂胶四周呈现放i射性条纹，主要可能的原因是光刻胶有颗粒、衬底未清洗干净，半导体光刻技术工厂，表面有颗粒、滴胶后精致时间过长，部分光刻胶固话，解决的方法主要有更换光刻胶，使用新的光刻胶涂胶来测试一下、将衬底再清洗一次再涂胶、滴胶后马上旋涂，以免光刻胶有所固化
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