微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，微纳光刻技术多少钱，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，微纳光刻技术服务价格，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
光刻技术是集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法。
光刻涂底方法：气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积，200～250C，30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性旋转涂胶方法：
a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%，旋涂后约占10～20%）；
b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotationperminute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；
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边缘的光刻胶一般涂布不均匀，产生边缘效应，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离而影响其它部分的图形。
常用的光刻胶主要是两种，正性光刻胶（itive photoresist）被曝光的部分会被显影剂清除，负性光刻胶(negative photoresist)未被曝光的部分会被显影剂清除。正性光刻胶主要应用于腐蚀和刻蚀工艺，而负胶工艺主要应用于剥离工艺（lift-off）。
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影响光刻胶均匀性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；
光刻是将掩模版上的图形转移到涂有光致抗蚀剂（或称光刻胶）的衬底上，通过一系列生产步骤将硅片表面薄膜的特定部分除去的一种图形转移技术。光刻技术是借用照相技术、平板印刷技术的基础上发展起来的半导体关键工艺技术。
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