低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，吉林真空镀膜厂家，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
LPCVD主要特征是因为在低压环境下，低压气相沉积真空镀膜厂家，反应气体的平均自由程及扩散系数变大，膜厚均匀性好、台阶覆盖性好。
LPCVD反应的能量源是热能，通常其温度在500℃-1000℃之间，压力在0.1Torr-2Torr以内，影响其沉积反应的主要参数是温度、压力和气体流量，它的主要特征是因为在低压环境下，反应气体的平均自由程及扩散系数变大，膜厚均匀性好、台阶覆盖性好。目前采用LPCVD工艺制作的主要材料有：多晶硅、单晶硅、非晶硅、氮化硅等。
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真空镀膜设备选购要点分析如下：
1、炉体可选择由不锈钢、碳钢或它们的组合制成的双层水冷结构。
2、根据工艺要求选择不同规格及类型的镀膜设备，其类型有电阻蒸发、电子束蒸发、磁控溅射、磁控反应溅射、离子镀、多弧离子镀等。
3、夹具运转形式有自转、公转及公转 自转方式，用户可根据基片尺寸及形状提出相应要求，转动的速度范围及转动精度：普通可调及变频调速等。
4、真空系统由机械泵、扩散泵、油增压泵、增扩泵、罗茨泵、埚轮分子泵等及与它们相匹配的各种气动、手动、电动阀门、管道等组成。
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化学气相沉积(CVD)是反应气体在一定条件下分解并发生化学反应，终生成固态物质沉积在基体表面继而形成薄膜的一种技术。在工艺上与其他薄膜沉积技术相比，具有沉积速度快、膜层质量好等优点，且已广泛应用于电子、光电子、表面改性等领域。该技术的缺点是沉积工艺温度过高，电极真空镀膜厂家，一般在(900℃～1200℃)之间，被处理的基体在高温下易变形、基体晶粒长大、致使基材性能发生改变，甚至某些相对低熔点的合金基材：如(Al合金)无法涂覆，而PECVD在很大程度上改进了CVD的这些缺点。PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。
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