微流控材料刻蚀加工平台 半导体光刻 天河材料刻蚀加工平台

MEMS材料刻蚀加工——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，微流控材料刻蚀加工平台，以及行业应用技术开发。

干法刻蚀用于高精度的图形转移。目前我国刻蚀工艺以及刻蚀设备相对于光刻而言，已经能够达到世界较为前列的水平。能够达到较高的刻蚀选择性、更好的尺寸控制、低面比例依赖刻蚀和更低的等离子体损伤。

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MEMS材料刻蚀加工——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，天河材料刻蚀加工平台，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，硅材料刻蚀加工平台，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

湿法腐蚀:用液体化学试剂(如酸、碱和溶剂等)以化学的方式去除硅片表面的材料。

腐蚀液的搅拌和温度将会影响腐蚀速率，在集成电路工艺中，大多是湿法化学刻蚀是将硅片浸入化学溶剂或向硅片上喷洒刻蚀溶剂。

对于浸入式刻蚀，是将硅片进入化学溶剂，通过需求搅拌来保证刻蚀过程以一致或者恒定的速率进行;

喷洒式刻蚀通过不断向硅片表面提供新的刻蚀剂来极大地增加刻蚀速率和一致性，喷洒式较浸入式会更好一点。

湿法化学刻蚀在进行图形转移的大缺点是掩模下会出现横向钻蚀，导致刻蚀后图形的分辨率下降。为了达到较大规模集成电路的工艺要求的高精度光刻胶抗蚀剂的图形转移，氮化镓材料刻蚀加工平台，行业开始采用干法刻蚀。

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干法腐蚀:干法刻蚀是通过等离子气与硅片发生物理或化学反应(或结合物理、化学两种反应)的方式将表面材料去除。

那什么是等离子体呢?

等离子体是完全或部分电离的气体离子，包括相同数量的正负电荷和不同数量的未电离分子组成。当足够大的电场加于气体并使其击穿和电离时，就产生了等离子体。

等离子体由自由电子触发，这些自由电子可以由加负偏压的电极发射或由其他方法产生。自由电子从电场获得动能，在穿过气体的运动过程中与气体分子碰撞而损失能量。在碰撞中转移的能量使得气体分子电离，产生自由电子。这些自由电子又从电场中获得动能，以上过程不断持续。

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