河北半导体XRD检测 半导体XRD薄膜测试

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半导体XRD检测XRD残余应力检测——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究,兼顾重大技术应用的基础研究,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。


同倾固定Ψ0法

每次探测扫描接收反射X射线的过程中,入射角Ψ0保持不变选择一系列不同的入射线与试样表面法线之夹角Ψ0来进行应力测试工作。

Ψ与Ψ0之间关系为:

Ψ=Ψ0 η

η=90°﹣θ

同倾固定Ψ0法的Ψ0角设置要受到下列限制:

Ψ0 2η< 90°

→ Ψ0<2θ-90°

2η< 90°→2θ> 90°

同倾固定法

在每次扫描过程中衍射面法线固定在特定Ψ角方向上,即保持Ψ不变

测试时X=管与探测器等速相向(或相反)而行,每个接收反射X=时刻,相当于固定晶面法线的入射角与反射角相等。通过选择一系列衍射晶面法线与试样表面法线之间夹角Ψ,来进行应力测试工作。同倾固定Ψ法的Ψ角设置要受到下列条件限制

Ψ η< 90°→Ψ<0




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半导体XRD检测XRD残余应力检测——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究,兼顾重大技术应用的基础研究,半导体XRD检测服务,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,半导体XRD检测平台,以及行业应用技术开发。

X射线衍射残余应力测定的sin2ψ法应力是通过应变来进行测定的,对于多晶体材料而言,半导体XRD检测机构,残余应力所对应的应变被认为是相应区域里晶格应变的统计结果,因此依据X射线衍射原理测定晶格应变,即可计算残余应力。

X射线衍射残余应力测定的sin2ψ法

材料的残余应力与宏观应变相对应,宏观应变被认为等同于晶格应变,晶格应变即晶面间距的相对变化,河北半导体XRD检测,而晶面间距的变化可以通过衍射装置依据布拉格定律求出,这便是X射线衍射残余应力测定法的完整思路。



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X射线小角散射(Small Angle X-ray scattering,SAXS)是通过收集X射线穿过样品之后产生的散射信号,来研究样品1~100 nm范围之内结构信息的技术。SAXS对样品的形式没有特定要求,块状,粉末和液体均可,但要求感兴趣的结构与周围环境有电子密度起伏,即衬度。

由于纳米颗粒形貌和尺寸会对其物化性能均会产生影响,为了实现更的纳米颗粒形貌和尺寸的分析,以便更好地利用纳米颗粒,采用更具有统计意义的SAXS技术是个非常必要的选择。首先利用TEM对纳米颗粒形貌及尺寸进行初步分析,然后采集不同的纳米颗粒分散液的SAXS数据,利用不同的形状因子(即,cube,sphere, 和superball)对数据进行分析得到了不同的p值。当p=1时,纳米颗粒为球形,当,纳米颗粒则为立方体。




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发布时间
2023-05-13 16:17
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